Sb
可用的形式
條狀 / 鑄錠 / 塊狀 / 粉末 / 晶片
應用領域

 

應用領域

99.999%銻塊,銻顆粒,銻棒

1,技術對接:銻與氯氣反應生產三氯化銻SbCl3 – 精餾 – 通氫還原 – 銻塊 – 氧氣保護下制粒;

2,物理性質:

原子量:121.760

電負性:2.05

密度:6.697 g/cm3 (25℃)

熔點:630.63 ℃

沸點:1587 ℃

3,物理性狀:粉,塊,錠,棒,單晶體;

4,用途:

主要用于制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體InSb, BiSb, GaSb,高純合金,電子致冷元件材料以及鍺,硅單晶的摻雜劑;

 

產品描述
描述
99.999%銻塊,銻顆粒,銻棒
1,技術對接:銻與氯氣反應生產三氯化銻SbCl3 – 精餾 – 通氫還原 – 銻塊 – 氧氣保護下制粒;
2,檢驗:ICP-MS(5N銻的總雜質含量低于10ppm);
3,服務:提供免費樣品,提供MSDS及實用的防護措施,提供應用材料解決方案;
4,物理性質:
原子量:121.760
電負性:2.05
密度:6.697 g/cm3 (25℃)
熔點:630.63 ℃
沸點:1587 ℃
5,規格:
化學純度:
高純銻:Sb-05 純度99.999%以上,銀,砷,鉍,鎘,銅,鐵,鎂,錳,硅,鎳,鉛,硫,鋅雜質總含量小于10ppm;
超純銻:Sb-06 純度99.9999%以上,銀,砷,鉍,鎘,銅,鐵,鎂,錳,硅,鎳,鉛,鋅雜質總含量小于1ppm;
超高純銻:Sb-07 純度99.99999%以上,銀,砷,鉍,鎘,銅,鐵,鎂,錳,硅,鎳,鉛,鋅雜質總含量小于0.1ppm。
6,物理性狀:粉,塊,錠,棒,單晶體;
7,用途:
主要用于制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體InSb, BiSb, GaSb,高純合金,電子致冷元件材料以及鍺,硅單晶的摻雜劑;
8,包裝:三層真空包裝或充氬氣保護;
其他材料
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